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CMOS的柵極-雙極型晶體管 P溝道MOSFET圖
2020-01-17
CMOS的柵極-雙極型晶體管 P溝道MOSFET圖圖14 23(a)為- CMOS反相器，上方PMOS的柵極與下方NMOS的柵極相連，兩種器件皆為加強(qiáng)型MOSFET；對(duì)P
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MOS管的參數(shù)詳解
2020-01-17
MOS管的參數(shù)詳解MOS管主要參數(shù)如下：1 開啟電壓VT-開啟電壓（又稱閾值電壓）：使得源極S和漏極D之間開端構(gòu)成導(dǎo)電溝道所需的柵極電壓；-規(guī)范
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n-p溝道m(xù)os管工作原理
2020-01-17
n-p溝道m(xù)os管工作原理P溝道MOS管工作原理金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)(MOS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩大類， P溝道硅MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管在N型硅襯
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導(dǎo)通瞬間基極驅(qū)動(dòng)圖解
2020-01-17
導(dǎo)通瞬間基極驅(qū)動(dòng)圖解導(dǎo)通瞬間基極過(guò)驅(qū)動(dòng)峰值輸入電流／bl為了保證迅速導(dǎo)通集電極電流，需要有一個(gè)持續(xù)時(shí)間很短且峰值約為導(dǎo)通期間平均值2
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單片開關(guān)電源的基本原理解析
2020-01-17
單片開關(guān)電源的基本原理解析單片MOS開關(guān)電源的典型應(yīng)用電路如圖1-13所示。由于單端反激式開關(guān)電源電路簡(jiǎn)單、所用元件少，輸出與輸人間有電
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CMOS-CMOS集成電路閂鎖效應(yīng)措施介紹
2020-01-17
CMOS-CMOS集成電路閂鎖效應(yīng)措施介紹cmos應(yīng)用在CMOS應(yīng)用中能同時(shí)將p溝道m(xù)os管與n溝道MOSFET制作在同一片芯片上．需要額外的摻雜及擴(kuò)散步驟，
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晶體管工作原理-晶體管分類介紹-解析全面晶體管工作原理大
2020-01-16
晶體管工作原理-晶體管分類介紹-解析全面晶體管工作原理大全電力晶體管電力晶體管按英文Giant Transistor直譯為巨型晶體管，是一種耐高電
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驅(qū)動(dòng)變壓器電路圖
2020-01-16
驅(qū)動(dòng)變壓器電路圖驅(qū)動(dòng)變壓器的恢復(fù)在驅(qū)動(dòng)MOS晶體管Q2導(dǎo)通期間的開始部分，D1和S2將導(dǎo)通。但是當(dāng)Ql已經(jīng)關(guān)斷并且基—射結(jié)間的恢復(fù)電流已經(jīng)變
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MOS場(chǎng)效晶體管-功率場(chǎng)效晶體管結(jié)構(gòu)及工作原理
2020-01-16
MOS場(chǎng)效晶體管-功率場(chǎng)效晶體管結(jié)構(gòu)及工作原理功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管（P-MOSFET）簡(jiǎn)稱功率MOSFET，是使用大都載流子導(dǎo)電的半導(dǎo)體器材，且導(dǎo)通時(shí)只
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變壓器輔助緩沖器介紹
2020-01-16
變壓器輔助緩沖器介紹變壓器輔助緩沖器圖中的電路可以顯著減小甚至消除 RCD 緩沖器的變壓器漏感尖峰 ，而且不需要增大電（緩沖電容的增
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全橋拓?fù)?的工作原理
2020-01-16
全橋拓?fù)?的工作原理全橋變換器如圖 3 3 所示，其輸入與半橋變換器相同 ，采用倍壓全橋切換整流電路 。 全橋拓?fù)淇捎糜跇?gòu)成接 440V
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開關(guān)電源半導(dǎo)體芯片圖
2020-01-16
開關(guān)電源半導(dǎo)體芯片圖三端單片性能特點(diǎn)三端單片開關(guān)電源芯片是目前國(guó)際上正在流行的新型開關(guān)電源芯片。專業(yè)從事電源半導(dǎo)體芯片設(shè)計(jì)和生產(chǎn)的