• <nav id="0gggg"><cite id="0gggg"></cite></nav><tr id="0gggg"><blockquote id="0gggg"></blockquote></tr>
    • 
      
    • 日本一区二区三区东京热,av天堂午夜精品一区,中文乱码免费一区二区三区,午夜色无码大片在线观看免费 ,国内精品视频一区二区三区八戒,久热爱精品视频在线观看久爱,九九热这里,91午夜在线观看免费

      您好!歡迎光臨烜芯微科技品牌官網(wǎng)!

      深圳市烜芯微科技有限公司

      ShenZhen XuanXinWei Technoligy Co.,Ltd
      二極管、三極管、MOS管、橋堆

      全國(guó)服務(wù)熱線:18923864027

      在實(shí)踐中測(cè)量IGBT的延遲時(shí)間,及根據(jù)測(cè)量值計(jì)算控制死區(qū)時(shí)間
      • 發(fā)布時(shí)間:2021-06-30 15:48:34
      • 來源:
      • 閱讀次數(shù):
      在實(shí)踐中測(cè)量IGBT的延遲時(shí)間,及根據(jù)測(cè)量值計(jì)算控制死區(qū)時(shí)間
      在現(xiàn)代工業(yè)中,采用IGBT器件的電壓源逆變器應(yīng)用越來越多。為了保證可靠的運(yùn)行,應(yīng)當(dāng)避免橋臂直通。橋臂直通將產(chǎn)生不必要的額外損耗,甚至引起發(fā)熱失控,結(jié)果可能導(dǎo)致器件和整個(gè)逆變器被損壞。
      下圖畫出了IGBT一個(gè)橋臂的典型結(jié)構(gòu)。在正常運(yùn)行時(shí),兩個(gè)IGBT將依次開通和關(guān)斷。如果兩個(gè)器件同時(shí)導(dǎo)通,則電流急劇上升,此時(shí)的電流將僅由直流環(huán)路的雜散電感決定。
      IGBT的延遲時(shí)間
      圖1 電壓源逆變器的典型結(jié)構(gòu)
      當(dāng)然, 沒有誰故意使兩個(gè)IGBT同時(shí)開通,但是由于IGBT并不是理想開關(guān)器件,其開通時(shí)間和關(guān)斷時(shí)間不是嚴(yán)格一致的。為了避免IGBT橋臂直通,通常建議在控制策略中加入所謂的“互鎖延時(shí)時(shí)間”,或者通常叫做“死區(qū)時(shí)間”。這意味著其中一個(gè)IGBT要首先關(guān)斷,然后在死區(qū)時(shí)間結(jié)束時(shí)再開通另外一個(gè)IGBT,這樣,就能夠避免由開通時(shí)間和關(guān)斷時(shí)間不對(duì)稱造成的直通現(xiàn)象。
      1. 死區(qū)時(shí)間對(duì)逆變器工作的影響
      死區(qū)時(shí)間一方面可以避免橋臂直通,另一方面也會(huì)帶來不利影響。以圖2為例,首先假設(shè)輸出電流按圖示方向流動(dòng),而IGBT T1由開通到關(guān)斷,經(jīng)過一小段死區(qū)時(shí)間后IGBT T2由關(guān)斷到開通。 在有效死區(qū)時(shí)間內(nèi),兩個(gè)開關(guān)管都是關(guān)斷的,且續(xù)流二極管D2流過輸出電流。此時(shí)負(fù)的直流電壓加在輸出側(cè),此時(shí)電壓極性符合設(shè)計(jì)的要求。考慮另一種情況,T1由關(guān)斷到開通,而T2由開通到關(guān)斷,此時(shí),由于電流還是沿著同一個(gè)方向,這一電流在死區(qū)時(shí)間依然流過,因此輸出電壓還是為負(fù)值,此時(shí)電壓極性不是設(shè)計(jì)希望得到的。結(jié)論可以總結(jié)如下:在有效死區(qū)時(shí)間里,輸出電壓由輸出電流決定,而非控制信號(hào)。
      IGBT的延遲時(shí)間
      圖2 電壓源逆變器的一個(gè)橋臂
      如果我們假設(shè)輸出電流的方向與圖2所示相反,那么當(dāng)T1由開通到關(guān)斷,而T2由關(guān)斷到開通時(shí),也同樣會(huì)出現(xiàn)類似上述情況。因此一般情況下,輸出電壓與輸出電流會(huì)隨著死區(qū)時(shí)間的加入而失真。如果我們選擇過大的死區(qū)時(shí)間,對(duì)于感應(yīng)電機(jī)的情況,系統(tǒng)將會(huì)變得不穩(wěn)定。因此, 仔細(xì)計(jì)算死區(qū)時(shí)間。
      IGBT的延遲時(shí)間
      本文主要講述如何在實(shí)踐中測(cè)量IGBT的延遲時(shí)間,以及如何根據(jù)測(cè)量值正確地計(jì)算控制死區(qū)時(shí)間。
      2. 計(jì)算合適的死區(qū)時(shí)間
      如上所述,選擇死區(qū)時(shí)間時(shí),一方面應(yīng)讓它滿足避免橋臂直通的要求,另一方面應(yīng)讓它盡可能地小,以確保電壓源逆變器能正常工作。
      2.1 計(jì)算死區(qū)時(shí)間的方法
      我們用下列公式計(jì)算控制死區(qū)時(shí)間:
      其中,
      td_off_max:關(guān)斷延遲時(shí)間。
      td_on_min:開通延遲時(shí)間。
      tpdd_max:驅(qū)動(dòng)器傳輸延遲時(shí)間。
      tpdd_min:驅(qū)動(dòng)器傳輸延遲時(shí)間。
      1.2:安全裕度。
      在該公式中,項(xiàng)td_off_max-td_on_min為關(guān)斷延遲時(shí)間和開通延遲時(shí)間之差。這一項(xiàng)主要描述IGBT器件結(jié)合所用的門極電阻的特性。由于上升和下降時(shí)間通常比延遲時(shí)間短很多,這里就不考慮它們。另一項(xiàng)tpdd_max-tpdd_min為由驅(qū)動(dòng)器決定的傳輸延遲時(shí)間之差(延遲時(shí)間不匹配)。該參數(shù)通常可在驅(qū)動(dòng)器制造商提供的驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)表中查找到。對(duì)于基于光耦合器的驅(qū)動(dòng)器,該參數(shù)值通常很大。
      有時(shí)可以用典型的數(shù)據(jù)表值乘以來自現(xiàn)場(chǎng)經(jīng)驗(yàn)的安全系數(shù)來計(jì)算死區(qū)時(shí)間,但通常不夠準(zhǔn)確。因?yàn)镮GBT數(shù)據(jù)表只提供標(biāo)準(zhǔn)工況對(duì)應(yīng)的典型值,我們有必要獲得特殊驅(qū)動(dòng)工況對(duì)應(yīng)的值。為此,必須進(jìn)行一系列測(cè)量,以獲得合適的延遲時(shí)間值,然后計(jì)算死區(qū)時(shí)間。
      2.2 開關(guān)及延遲時(shí)間定義
      按以下方式定義IGBT的開關(guān)時(shí)間:
      td_on:從Vge上升10%到Ic上升10%的時(shí)間。
      tr:從10% Ic到90% Ic的時(shí)間。
      td_off:從90% Vge到90% Ic的時(shí)間。
      tf:從90% Ic到10% Ic的時(shí)間。
      2.3 IGBT門極電阻及驅(qū)動(dòng)器輸出阻抗的影響
      門極電阻設(shè)置會(huì)顯著地影響開關(guān)延遲時(shí)間。一般來說,電阻越大則延遲時(shí)間越長(zhǎng)。建議在實(shí)際應(yīng)用的專用門極電阻條件下測(cè)量延遲時(shí)間。典型的開關(guān)時(shí)間與門極電阻的關(guān)系圖如下圖所示:
      IGBT的延遲時(shí)間
      圖4 開關(guān)時(shí)間與Rg在25°C時(shí)的關(guān)系圖圖5 開關(guān)時(shí)間與Rg在125°C時(shí)的關(guān)系圖
      IGBT的延遲時(shí)間
      所有試驗(yàn)都是用FP40R12KT3模塊進(jìn)行的,門極電壓為-15V/+15V,DC link電壓為600V,開關(guān)電流為標(biāo)稱電流40A
      2.4 其他參數(shù)對(duì)延遲時(shí)間的影響
      除門極電阻值外,還有其它參數(shù)對(duì)延遲時(shí)間有顯著影響:
      ? 集電極電流
      ? 門極驅(qū)動(dòng)供電電壓
      2.4.1 開通延遲時(shí)間
      為了估計(jì)這一影響,須進(jìn)行一系列測(cè)量。先研究開通延遲時(shí)間與電流之間的關(guān)系。結(jié)果如下圖所示:
      IGBT的延遲時(shí)間
      圖6 開通延遲時(shí)間與開關(guān)電流Ic的關(guān)系圖
      所有試驗(yàn)采用FP40R12KT3模塊,DC link電壓為600V,門極電阻根據(jù)數(shù)據(jù)表值選擇。
      從以上結(jié)果中可以看出,集電極電流Ic發(fā)生變化時(shí),開通延遲時(shí)間幾乎保持不變。-15V/+15V的門極電壓下的開通延遲時(shí)間,比0V/+15V的門極電壓條件下要長(zhǎng)。但該變化很小,且考慮到額外的安全裕量,因此可以忽略不計(jì)。
      2.4.2 關(guān)斷延遲時(shí)間
      關(guān)斷延遲時(shí)間是計(jì)算死區(qū)時(shí)間時(shí)應(yīng)考慮的重要因素。因?yàn)樵撝祹缀跬耆珱Q定終計(jì)算的死區(qū)時(shí)間是多長(zhǎng)。所以我們將詳細(xì)地研究該延遲時(shí)間。
      要想獲得關(guān)斷延遲時(shí)間,必須考慮到以下問題:
      1.IGBT器件自身產(chǎn)生的開通延遲時(shí)間是多少?
      2.如果IGBT的閾值電壓為數(shù)據(jù)手冊(cè)中的值,那么關(guān)斷延遲時(shí)間是多少?(這個(gè)值反映了模塊間Vth允許的誤差)
      3.驅(qū)動(dòng)器輸出電平對(duì)開關(guān)時(shí)間的影響?
      4.雙極晶體管輸出電平的驅(qū)動(dòng)器有何影響?
      考慮以上變量,我們使用FP40R12KT3和視為理想的驅(qū)動(dòng)器在實(shí)驗(yàn)室對(duì)關(guān)斷延遲時(shí)間進(jìn)行了測(cè)試。測(cè)試條件為Vdc=600V,Rg=27?。測(cè)試結(jié)果如下圖所示:
      IGBT的延遲時(shí)間
      關(guān)斷延遲時(shí)間與Ic在25°C時(shí)的關(guān)系圖關(guān)斷延遲時(shí)間與Ic在25°C時(shí)的關(guān)系圖
      IGBT的延遲時(shí)間
      從測(cè)試結(jié)果可知,隨著開關(guān)電流Ic的減小,關(guān)斷延遲時(shí)間顯著增加。因此僅僅通過選定門極驅(qū)動(dòng)電阻來簡(jiǎn)單地計(jì)算死區(qū)時(shí)間是不夠的。在特定的驅(qū)動(dòng)條件下測(cè)量延遲時(shí)間,然后再根據(jù)測(cè)量值來計(jì)算死區(qū)時(shí)間是一個(gè)更好且更的方法。通常情況下,通過測(cè)量1%常規(guī)電流條件下的延遲時(shí)間,足以計(jì)算需要的死區(qū)時(shí)間。
      這里還應(yīng)考慮一個(gè)問題,即,采用0V/+15V的門極驅(qū)動(dòng)電壓時(shí),關(guān)斷延遲時(shí)間會(huì)增加,而且采用0V/+15V的驅(qū)動(dòng)電壓時(shí),驅(qū)動(dòng)器輸出電平對(duì)開關(guān)時(shí)間的影響會(huì)更大。這意味著使用0V/+15V驅(qū)動(dòng)電壓時(shí),需要特別注意對(duì)驅(qū)動(dòng)器的選擇。另外,集電極電流Ic較小時(shí)導(dǎo)致td_off增加的問題也需要考慮。
      3. 如何減小死區(qū)時(shí)間
      為了正確計(jì)算控制死區(qū)時(shí)間,應(yīng)當(dāng)考慮以下驅(qū)動(dòng)條件:
      ? 給IGBT施加的門極電壓是多少?
      ? 選擇的門極電阻值是多少?
      ? 驅(qū)動(dòng)器的輸出電平是什么類型?
      基于這些條件,可以進(jìn)行延遲時(shí)間的測(cè)試,然后通過測(cè)試結(jié)果,使用公式(1)計(jì)算控制死區(qū)時(shí)間。由于死區(qū)時(shí)間對(duì)逆變器的性能有著負(fù)面影響,死區(qū)時(shí)間需要減小到值。可以采用下列幾種方法:
      ·采用足夠大的驅(qū)動(dòng)器來給IGBT門極提供峰值灌拉電流。
      ·使用負(fù)電壓來加速關(guān)斷。
      ·選擇快速傳遞信號(hào)的驅(qū)動(dòng)器,比如使用基于無磁芯變壓器技術(shù)的驅(qū)動(dòng)器會(huì)好于使用傳統(tǒng)光耦技術(shù)的驅(qū)動(dòng)器。
      ·如果選用0V/15V的驅(qū)動(dòng)電壓,那么應(yīng)該考慮使用獨(dú)立的Rgon/Ggoff電阻。
      從2.3節(jié)顯示的測(cè)量結(jié)果中可以看出,Td_off與門極電阻值有很強(qiáng)的相關(guān)性。如果Rgoff減小,則td_off及死區(qū)時(shí)間都會(huì)減少。英飛凌建議,在使用0V/15V的門極電壓時(shí),Rgoff值應(yīng)減小至Rgon值的1/3。一種使用獨(dú)立的Rgon和Rgoff的電路如下所示:
      IGBT的延遲時(shí)間
      門極電壓為0V/15V時(shí)建議使用的電路
      R1的值應(yīng)滿足以下關(guān)系:
      從公式中可以看出,要想讓R1為正值,Rgon必須大于2Rgint。但在一些模塊中,這個(gè)要求并不可能滿足。這種情況下,R1可以完全忽略。
      烜芯微專業(yè)制造二極管,三極管,MOS管,橋堆等20年,工廠直銷省20%,4000家電路電器生產(chǎn)企業(yè)選用,專業(yè)的工程師幫您穩(wěn)定好每一批產(chǎn)品,如果您有遇到什么需要幫助解決的,可以點(diǎn)擊右邊的工程師,或者點(diǎn)擊銷售經(jīng)理給您精準(zhǔn)的報(bào)價(jià)以及產(chǎn)品介紹
      相關(guān)閱讀
      主站蜘蛛池模板: 亚洲女同精品一区二区三区| 国产女人久久精品视| 在线播放国产精品日韩| 亚洲一区二区精品偷拍| 亚洲黄片手机免费观看| 丁香五婷| 日韩精品欧美一区二区三区| 国产精品观看视频免费完整版| 潼关县| 中文字幕一区二区三区久久蜜桃| 12裸体自慰免费观看网站| 欧美性爱一区二区三区| 色呦呦手机在线精品| 精品无码国产污污污免费网站国产| 久久国产精品国产自线拍| 欧美.成人.综合在线| 国产无套精品一区二区三区| 国产成人91色精品免费网站| 欧美人与动zozo在线播放| 色综合色天天久久婷婷基地| 五月亚洲| 亚洲av中文在我观看| 日本一区二区高清国产| 精品国产一区二区三区香蕉| 日韩国产欧美| 无码国内精品久久综合88| 国产亚洲一本大道中文在线| 福利视频网站导航| 免费人成A片在线观看网站| 全免费A级毛片免费看网站| 99精品视频看国产啪视频| 停停六综合| 国产免费一区二区不卡| 另类专区一区二区三区| 永久免费无码日韩视频| 久久精品国产亚洲片| 日本三级在线视频| 丁青县| 波多野结衣无码视频在线观看 | 狠狠色噜噜狠狠狠7777米奇| 日韩AV无码社区一区二区三区 |