TIP42C是功率三極管
TIP42C 中文資料
類(lèi)別：分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭：晶體管(BJT) - 單路
晶體管類(lèi)型：PNP
電流 - 集電極 (Ic)（最大）：6A
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）：100V
Ib、Ic 條件下的 Vce 飽和度（最大）：1.5V @ 600mA, 6A
電流 - 集電極截止（最大）：700µA
在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE)：15 @ 3A, 4V
功率 - 最大：2W
頻率 - 轉(zhuǎn)換：3MHz
安裝類(lèi)型：通孔
封裝 / 外殼：TO-220-3 (直引線)
引腳圖及功能
引腳號(hào)
引腳名稱(chēng)
1 基集
2 集電極
3 發(fā)射極
工作原理
晶體三極管（以下簡(jiǎn)稱(chēng)三極管）按材料分有兩種：鍺管和硅管。而每一種又有 NPN 和 PNP 兩種結(jié)構(gòu)形式，但使用最多的是硅 NPN 和鍺 PNP 兩種三極管，（其中，N 是負(fù)極的意思（代表英文中 Negative），N 型半導(dǎo)體在高純度硅中加入磷取代一些硅原子，在電壓刺激下產(chǎn)生自由電子導(dǎo)電，而 P 是正極的意思（Positive）是加入硼取代硅，產(chǎn)生大量空穴利于導(dǎo)電）。兩者除了電源極性不同外，其工作原理都是相同的，下面僅介紹 NPN 硅管的電流放大原理。
對(duì)于 NPN 管，它是由 2 塊 N 型半導(dǎo)體中間夾著一塊 P 型半導(dǎo)體所組成，發(fā)射區(qū)與基區(qū)之間形成的 PN 結(jié)稱(chēng)為發(fā)射結(jié),而集電區(qū)與基區(qū)形成的 PN 結(jié)稱(chēng)為集電結(jié),三條引線分別稱(chēng)為發(fā)射機(jī) e （Emitter）、基極 b (Base)和集電極 c (Collector)。
當(dāng) b 點(diǎn)電位高于 e 點(diǎn)電位零點(diǎn)幾伏時(shí)，發(fā)射結(jié)處于正偏狀態(tài)，而 C 點(diǎn)電位高于 b 點(diǎn)電位幾伏時(shí)，集電結(jié)處于反偏狀態(tài)，集電極電源 Ec 要高于基極電源 Eb。
在制造三極管時(shí)，有意識(shí)地使發(fā)射區(qū)的多數(shù)載流子濃度大于基區(qū)的，同時(shí)基區(qū)做得很薄，而且，要嚴(yán)格控制雜質(zhì)含量，這樣，一旦接通電源后，由于發(fā)射結(jié)正偏，發(fā)射區(qū)的多數(shù)載流子（電子）及基區(qū)的多數(shù)載流子（空穴）很容易地越過(guò)發(fā)射結(jié)互相向?qū)Ψ綌U(kuò)散，但因前者的濃度基大于后者，所以通過(guò)發(fā)射結(jié)的電流基本上是電子流，這股電子流稱(chēng)為發(fā)射極電子流。
由于基區(qū)很薄,加上集電結(jié)的反偏，注入基區(qū)的電子大部分越過(guò)集電結(jié)進(jìn)入集電區(qū)而形成集電極電流 Ic，只剩下很少（1-10%）的電子在基區(qū)的空穴進(jìn)行復(fù)合，被復(fù)合掉的基區(qū)空穴由基極電源 Eb 重新補(bǔ)給，從而形成了基極電流 Ibo. 根據(jù)電流連續(xù)性原理得：Ie=Ib+Ic
三極管的電流放大作用實(shí)際上是利用基極電流的微小變化去控制集電極電流的巨大變化。
三極管是一種電流放大器件，但在實(shí)際使用中常常通過(guò)電阻將三極管的電流放大作用轉(zhuǎn)變?yōu)殡妷悍糯笞饔谩?/div>
內(nèi)部結(jié)構(gòu)
1、發(fā)射區(qū)向基區(qū)發(fā)射電子
電源 Ub 經(jīng)過(guò)電阻 Rb 加在發(fā)射結(jié)上，發(fā)射結(jié)正偏，發(fā)射區(qū)的多數(shù)載流子(自由電子）不斷地越過(guò)發(fā)射結(jié)進(jìn)入基區(qū)，形成發(fā)射極電流 Ie。同時(shí)基區(qū)多數(shù)載流子也向發(fā)射區(qū)擴(kuò)散，但由于多數(shù)載流子濃度遠(yuǎn)低于發(fā)射區(qū)載流子濃度，可以不考慮這個(gè)電流，因此可以認(rèn)為發(fā)射結(jié)主要是電子流。
2、基區(qū)中電子的擴(kuò)散與復(fù)合
電子進(jìn)入基區(qū)后，先在靠近發(fā)射結(jié)的附近密集，漸漸形成電子濃度差，在濃度差的作用下，促使電子流在基區(qū)中向集電結(jié)擴(kuò)散，被集電結(jié)電場(chǎng)拉入集電區(qū)形成集電極電流 Ic。也有很小一部分電子（因?yàn)榛鶇^(qū)很薄）與基區(qū)的空穴復(fù)合，擴(kuò)散的電子流與復(fù)合電子流之比例決定了三極管的放大能力。
3、集電區(qū)收集電子
由于集電結(jié)外加反向電壓很大，這個(gè)反向電壓產(chǎn)生的電場(chǎng)力將阻止集電區(qū)電子向基區(qū)擴(kuò)散，同時(shí)將擴(kuò)散到集電結(jié)附近的電子拉入集電區(qū)從而形成集電極主電流 Icn。另外集電區(qū)的少數(shù)載流子（空穴）也會(huì)產(chǎn)生漂移運(yùn)動(dòng)，流向基區(qū)形成反向飽和電流，用 Icbo 來(lái)表示，其數(shù)值很小，但對(duì)溫度卻異常敏感。
作用和用途
具有電流放大作用，其實(shí)本質(zhì)是三極管能以基極電流微小的變化量來(lái)控制集電極電流較大的變化量。這是三極管最基本的和最重要的特性。我們將ΔIc/ΔIb 的比值稱(chēng)為晶體三極管的電流放大倍數(shù)，用符號(hào)“β”表示。電流放大倍數(shù)對(duì)于某一只三極管來(lái)說(shuō)是一個(gè)定值，但隨著三極管工作時(shí)基極電流的變化也會(huì)有一定的改變。
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