圖5.1為單一 p-n-p雙極型晶體管的透視圖，其制造過(guò)程是以p型半導(dǎo)體器件為襯底，利用熱擴(kuò)散的原理在p型襯底上形成-n型區(qū)域．再在此n型區(qū)域上以熱擴(kuò)散形成一高濃度的p+型區(qū)域，接著以金屬覆蓋p+、n以及下方的p型區(qū)域形成歐姆接觸．詳細(xì)的晶體管工藝將在后面的章節(jié)中討論．

圖5.2(a)為理想的一維結(jié)構(gòu)p-n-p雙極型晶體管，具有二段不同摻雜濃度的區(qū)域，形成兩個(gè)p-n結(jié)，濃度最高的p+區(qū)域稱(chēng)為發(fā)射區(qū)（在圖5.2中以E定義）；中間較窄的n型區(qū)域，其雜質(zhì)濃度中等，稱(chēng)為基區(qū)（base，定義為B），基區(qū)的寬度需遠(yuǎn)小于少數(shù)載流子的擴(kuò)

散長(zhǎng)度；濃度最小的p型區(qū)域稱(chēng)為集電區(qū)（定義為c）．

各區(qū)域內(nèi)的濃度假設(shè)為均勻分布，p-n結(jié)的概念可直接應(yīng)用在晶體管內(nèi)的結(jié)上，

圖5.2（b1是一個(gè)p-n-p雙極型晶體管的電路符號(hào)，圖中亦顯示各電流成分和電壓極性，箭頭表示晶體管在一般工作模式（或稱(chēng)放大模式）下各電流的方向，而“+”、“一”符號(hào)表示電壓的極性我們亦可用雙下標(biāo)的方式，來(lái)表示電壓的極性．在放大模式下，射基結(jié)必須為正向偏壓(VEB>o)，而集基結(jié)為反向偏壓(VBb<0)．根據(jù)克西荷夫電路定律，對(duì)此三端點(diǎn)器件，只有兩獨(dú)立電流；若任兩電流為已知，第三端點(diǎn)電流即可求得．

n-p-n雙極型晶體管的結(jié)構(gòu)與p-n-p雙極型晶體管是互補(bǔ)的，圖5.2(c)與圖5.2(d)分別是理想p-n-p晶體管的結(jié)構(gòu)與電路符號(hào)。將p-n-p雙極型晶體管結(jié)構(gòu)中的p換成n、n換成p，即為n- p-n雙極型晶體管的結(jié)構(gòu)，因此電流方向與電壓極性也都相反．在下一小節(jié)中，我們將仔細(xì)討論p-n-p雙極型晶體管，因?yàn)槠渖贁?shù)載流子（空穴）的流動(dòng)方向與電流方向相同，可更直觀地了解電荷運(yùn)動(dòng)的機(jī)制，只要了解了p- n-p晶體管，我們只要將極性和摻雜類(lèi)型調(diào)換，即可描述n-p-n晶體管
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