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    • 抑制副邊整流二極管尖峰電壓
      • 發(fā)布時(shí)間:2019-12-07 17:32:34
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      抑制副邊整流二極管尖峰電壓
      前沿尖峰的一些抑制方法
      1選用軟恢復(fù)特性的肖特基二極管,或采用在整流管前串聯(lián)電感的方法比較有效,或在開關(guān)管整流管的磁珠。磁芯材料選用對(duì)高頻振蕩呈高阻抗衰減特性的鐵氧體材料,等。
      2在二次側(cè)接入RC吸收回路可進(jìn)一步減小前沿尖峰的幅值,降低二極管恢復(fù)過程中的振蕩頻率。
      3多個(gè)整流二極管并聯(lián);適當(dāng)增大整流二極管的電流容量,可相對(duì)減小反向恢復(fù)時(shí)的關(guān)斷時(shí)間,限制反向短路電流的數(shù)值,可抑制電流尖峰和降低導(dǎo)通損耗。
      4盡量使元件布局走線合理 ,減小大電流回路的面積,對(duì)EMI的抑制也比較有效。
      后沿尖峰的抑制方法
      5選用開關(guān)速度快的整流二極管
      6選用高導(dǎo)磁率的磁芯,變壓器設(shè)計(jì)時(shí)激磁電流盡可能小
      7選用高磁通密度的材料,確保在惡劣環(huán)境下變壓器不會(huì)飽和。可取B值為飽和值的一半或1/3; 
      8選用閉合磁路的罐形或PQ磁芯減小漏磁。
      9高頻變壓器繞制盡量減小漏感。采用夾心繞法或三文治繞法。繞線盡量均勻分布在骨架上。選用漆包線時(shí)要考慮到趨膚效應(yīng)。
      10在開關(guān)管的D-S之間并聯(lián)RC吸收回路。
      整流二極管尖峰電壓
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