MOS管及符號

mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導體(semiconductor)場效應晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導體。MOS管的source和drain是可以對調的，他們都是在P型backgate中形成的N型區。在多數情況下，這個兩個區是一樣的，即使兩端對調也不會影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱的。

雙極型晶體管把輸入端電流的微小變化放大后，在輸出端輸出一個大的電流變化。雙極型晶體管的增益就定義為輸出輸入電流之比（beta）。另一種晶體管，叫做場效應管（FET），把輸入電壓的變化轉化為輸出電流的變化。FET的增益等于它的transconductance，定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比。市面上常有的一般為N溝道和P溝道，以下為N溝道和P溝道符號。

N溝道mos管符號

P溝道mos管符號

如何快速判斷其好壞及引腳功能

1）用10K檔，內有15伏電池。可提供導通電壓。

2）因為柵極等效于電容，與任何腳不通，不論N管或P管都很容易找出柵極來，否則是壞管。

3）利用表筆對柵源間正向或反向充電，可使漏源通或斷，且由于柵極上電荷能保持，上述兩步可分先后，不必同步，方便。但要放電時需短路管腳或反充。

4）大都源漏間有反并二極管，應注意，及幫助判斷。

5）大都封莊為字面對自已時，左柵中漏右源。

以上前三點必需掌握，后兩點靈活運用，很快就能判管腳，分好壞。

如果對新拿到的不明MOS管，可以通過測定來判斷腳極，只有準確判定腳的排列，才能正確使用。

管腳測定方法

①柵極G的測定：用萬用表R&TImes;100檔，測任意兩腳之間正反向電阻，若其中某次測得電阻為數百Ω），該兩腳是D、S，第三腳為G。

②漏極D、源極S及類型判定：用萬用表R&TImes;10kΩ檔測D、S問正反向電阻，正向電阻約為0.2&TImes;10kΩ，反向電阻（5一∞）X100kΩ。在測反向電阻時，紅表筆不動，黑表筆脫離引腳后，與G碰一下，然后回去再接原引腳，出現兩種情況：

a．若讀數由原來較大值變為0（0&TImes;10kΩ），則紅表筆所接為S，黑表筆為D。用黑表筆接觸G有效，使MOS管D、S間正反向電阻值均為0Ω，還可證明該管為N溝道。

b．若讀數仍為較大值，黑表筆不動，改用紅表筆接觸G，碰一下之后立即回到原腳，此時若讀數為0Ω，則黑表筆接的是S極、紅表筆為D極，用紅表筆接觸G極有效，該MOS管為P溝道。

數字萬用表mos測量好壞-其他方法

一

紅左，黑中、右 無窮大

黑左， 紅中、右 無窮大

紅中，黑右 無窮大；

黑中紅右顯示530（左右）。

其實場效應管三極管很好判斷：有字面朝上從左到右依次為：G、D、S，有些管相反：S、D、G。我修顯示器、主板、電源都是從上面的方法測絕對沒問題。你不信隨便拆塊板看一看，場效應管在電路圖板的布局及應VMOS大功率場效應晶體管的檢測

二

1、判別各電極與管型

用萬用表R×100檔，測量場效應晶體管任意兩引腳之間的正、反向電阻值。其中一次測量中兩引腳的電阻值為數百歐姆，這時兩表筆所接的引腳為源極S和漏極D，而另一引腳為柵極G。再用萬用表R×10k檔測量兩引腳（漏極D與源極S）之間的正、反向電阻值。正常時，正向電阻值為2kΩ左右，反向電阻值大于500kΩ。在測量反向電阻值時，紅表筆所接引腳不動，黑表筆脫離所接引腳后，先與柵極G觸碰一下，然后再去接原引腳，觀察萬用表讀數的變化情況。若萬用表讀數由原來較大阻值變為0，則此紅表筆所接的即是源極S，黑表筆所接為漏極D。用黑表筆觸發柵極G有效，說明該管為N溝道場效應管。若萬用表讀數仍為較大值，則黑表筆接回原引腳不變，改用紅表筆去觸碰柵極G后再接回原引腳，若此時萬用表讀數由原來阻值較大變為0，則此時黑表筆接的為源極S，紅表筆接的是漏極D。用表紅筆觸發柵極G有效，說明該管為P溝道場效應晶體管。

2．判別其好壞

用萬用表R×1k檔或R×10k檔，測量場效應管任意兩腳之間的正、反向電阻值。正常時，除漏極與源極的正向電阻值較小外，其余各引腳之間（G與D、G與S）的正、反向電阻值均應為無窮大。若測得某兩極之間的電阻值接近0Ω，則說明該管已擊穿損壞。另外，還可以用觸發柵極（P溝道場效應晶體管用紅表筆觸發，N溝道場效應管用黑表筆觸發）的方法來判斷場應管是否損壞。若觸發有效（觸發柵極G后，D、S極之間的正、反向電阻均變為0），則可確定該管性能良好。

三

1 、用10K檔,內有15伏電池.可提供導通電壓.

2 、因為柵極等效于電容,與任何腳不通,不論N管或P管都很容易找出柵極來,否則是壞管.

3 、利用表筆對柵源間正向或反向充電,可使漏源通或斷,且由于柵極上電荷能保持,上述兩步可分先后,不必同步,方便.但要放電時需短路管腳或反充.

4 、大都源漏間有反并二極管,應注意,及幫助判斷.

5、 大都封莊為字面對自已時,左柵中漏右源.

MOS管發熱分析

做電源設計，或者做驅動方面的電路，難免要用到MOS管。MOS管有很多種類，也有很多作用。做電源或者驅動的使用，當然就是用它的開關作用。

無論N型或者P型MOS管，其工作原理本質是一樣的。MOS管是由加在輸入端柵極的電壓來控制輸出端漏極的電流。MOS管是壓控器件它通過加在柵極上的電壓控制器件的特性，不會發生像三極管做開關時的因基極電流引起的電荷存儲效應，因此在開關應用中，MOS管的開關速度應該比三極管快。其主要原理如圖：

MOS管的工作原理

我們在開關電源中常用MOS管的漏極開路電路，如圖2漏極原封不動地接負載，叫開路漏極，開路漏極電路中不管負載接多高的電壓，都能夠接通和關斷負載電流。是理想的模擬開關器件。這就是MOS管做開關器件的原理。當然MOS管做開關使用的電路形式比較多了。

NMOS管的開路漏極電路

在開關電源應用方面，這種應用需要MOS管定期導通和關斷。比如，DC-DC電源中常用的基本降壓轉換器依賴兩個MOS管來執行開關功能，這些開關交替在電感里存儲能量，然后把能量釋放給負載。我們常選擇數百kHz乃至1MHz以上的頻率，因為頻率越高，磁性元件可以更小更輕。在正常工作期間，MOS管只相當于一個導體。因此，我們電路或者電源設計人員最關心的是MOS的最小傳導損耗。

我們經常看MOS管的PDF參數，MOS管制造商采用RDS(ON)參數來定義導通阻抗，對開關應用來說，RDS(ON)也是最重要的器件特性。數據手冊定義RDS(ON)與柵極(或驅動)電壓VGS以及流經開關的電流有關，但對于充分的柵極驅動，RDS(ON)是一個相對靜態參數。一直處于導通的MOS管很容易發熱。另外，慢慢升高的結溫也會導致RDS(ON)的增加。MOS管數據手冊規定了熱阻抗參數，其定義為MOS管封裝的半導體結散熱能力。RθJC的最簡單的定義是結到管殼的熱阻抗。

其發熱情況有：

1.電路設計的問題，就是讓MOS管工作在線性的工作狀態，而不是在開關狀態。這也是導致MOS管發熱的一個原因。如果N-MOS做開關，G級電壓要比電源高幾V，才能完全導通，P-MOS則相反。沒有完全打開而壓降過大造成功率消耗，等效直流阻抗比較大，壓降增大，所以U*I也增大，損耗就意味著發熱。這是設計電路的最忌諱的錯誤。

2.頻率太高，主要是有時過分追求體積，導致頻率提高，MOS管上的損耗增大了，所以發熱也加大了。

3.沒有做好足夠的散熱設計，電流太高，MOS管標稱的電流值，一般需要良好的散熱才能達到。所以ID小于最大電流，也可能發熱嚴重，需要足夠的輔助散熱片。

4.MOS管的選型有誤，對功率判斷有誤，MOS管內阻沒有充分考慮，導致開關阻抗增大。

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